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熱度不減!中國半導(dǎo)體設(shè)備投資逆勢增長53.4%

2025-08-15 3

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局深度調(diào)整、行業(yè)整體投資呈現(xiàn)分化態(tài)勢的當(dāng)下,中國半導(dǎo)體設(shè)備投資卻展現(xiàn)出強(qiáng)勁的逆勢增長勢頭,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的一大亮點(diǎn)。?x3iesmc

研究機(jī)構(gòu) CINNO Research近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2025 年上半年,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(含臺(tái)灣地區(qū))總投資額達(dá) 4550 億元,雖同比下滑 9.8%,但相較于去年 41.6% 的下滑幅度,已呈現(xiàn)出明顯的收斂向好趨勢。在各細(xì)分領(lǐng)域投資普遍下行的情況下,半導(dǎo)體設(shè)備投資卻逆勢增長53.4%,成為唯一實(shí)現(xiàn)正增長的領(lǐng)域,彰顯出中國在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈自主可控方面堅(jiān)定不移的戰(zhàn)略決心。?x3iesmc

從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的投資結(jié)構(gòu)來看,2025 年上半年呈現(xiàn)出顯著的結(jié)構(gòu)性特征。晶圓制造領(lǐng)域依舊是投資的重點(diǎn),投資規(guī)模高達(dá) 2340 億元,占總投資的 51.4%,不過較去年同期回落了 5.1%,這表明成熟制程投資逐漸趨近飽和狀態(tài)。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域獲得 593 億元投資,占比 13.0%,整體投資下滑 8.1%。受消費(fèi)電子需求不振以及國際供應(yīng)鏈重組等因素影響,芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域投資 853 億元(占比 18.7%),封裝測試領(lǐng)域投資 417 億元(占比 9.2%),同比分別大幅下滑 23.7% 和 28.1% 。?x3iesmc

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 圖源:CINNO Researchx3iesmc

中國半導(dǎo)體設(shè)備投資能夠逆勢增長,背后有著多方面深層次原因。美國長期實(shí)施的技術(shù)封鎖與出口管制政策,對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來巨大挑戰(zhàn)的同時(shí),也從側(cè)面激發(fā)了中國本土半導(dǎo)體設(shè)備的創(chuàng)新潛能。美國商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)施壓荷蘭 ASML、美國應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)等國際設(shè)備巨頭,限制其向中國出口高端光刻機(jī)及其他關(guān)鍵設(shè)備,致使中國先進(jìn)制程設(shè)備進(jìn)口受阻。在此情形下,中國政府與企業(yè)果斷加大在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的投資力度,力求突破技術(shù)瓶頸,實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)與生產(chǎn),2025 年上半年半導(dǎo)體設(shè)備投資的大幅增長正是這一戰(zhàn)略決策的直接體現(xiàn) 。?x3iesmc

政策層面,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(大基金)積極發(fā)揮引導(dǎo)作用,加大對本土設(shè)備廠商的扶持力度,推動(dòng)關(guān)鍵設(shè)備的自主研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。地方政府同樣積極響應(yīng),上海、北京、深圳等地紛紛設(shè)立專項(xiàng)基金,出臺(tái)稅收優(yōu)惠、研發(fā)補(bǔ)貼等政策,為半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的發(fā)展?fàn)I造良好的政策環(huán)境,從資金與政策層面為設(shè)備投資增長提供堅(jiān)實(shí)保障 。?x3iesmc

在技術(shù)研發(fā)與市場需求的雙重推動(dòng)下,中國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在部分關(guān)鍵領(lǐng)域取得了令人矚目的突破。中微半導(dǎo)體在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域已達(dá)到國際先進(jìn)水平,北方華創(chuàng)在薄膜沉積設(shè)備方面也取得重要進(jìn)展,這些技術(shù)成果不僅提升了國產(chǎn)設(shè)備的市場競爭力,也吸引了更多資本流入半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。與此同時(shí),中國作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場,隨著國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)建計(jì)劃的穩(wěn)步推進(jìn),對光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備的需求持續(xù)攀升。即便國際設(shè)備供應(yīng)受限,國產(chǎn)設(shè)備廠商憑借技術(shù)進(jìn)步正逐步填補(bǔ)市場空缺,進(jìn)一步拉動(dòng)了設(shè)備投資的增長 。?x3iesmc

從地域投資分布來看,中國大陸 21 個(gè)省市(含直轄市)的半導(dǎo)體投資呈現(xiàn)出高度集中的態(tài)勢。江蘇省以 20.7% 的占比位居全國首位,成為半導(dǎo)體投資的核心集聚區(qū);上海以 18.8% 緊隨其后;浙江(14.4%)、北京(12.5%)和湖北(12.5%)分列三至五位,這五大區(qū)域合計(jì)占比達(dá) 78.9%。長三角地區(qū)憑借在晶圓制造、封裝測試等領(lǐng)域深厚的產(chǎn)業(yè)積淀,以及完善的產(chǎn)業(yè)鏈,吸引了大量投資。以上海、北京為代表的城市,通過專項(xiàng)基金、人才政策等手段,形成了強(qiáng)大的政策資源優(yōu)勢,吸引項(xiàng)目落地。以上海為龍頭的長三角半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈,區(qū)域協(xié)同效應(yīng)顯著,規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)。湖北省則憑借在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的突破性發(fā)展,成功躋身投資前五,展現(xiàn)出新興產(chǎn)業(yè)集群的崛起潛力 。?x3iesmc

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域投資方面,2025 年上半年呈現(xiàn)出清晰的技術(shù)升級(jí)趨勢。第三代半導(dǎo)體材料(SiC/GaN)以 162 億元的投資規(guī)模、27.3% 的占比位居首位,成為產(chǎn)業(yè)突破的重點(diǎn)方向。這類寬禁帶半導(dǎo)體材料在新能源汽車電控系統(tǒng)、5G 基站射頻器件、智能電網(wǎng)等高端應(yīng)用場景中具備顯著性能優(yōu)勢。電子特氣投資達(dá) 114 億元,占比 19.3%,位列第二,顯示出國內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈關(guān)鍵耗材環(huán)節(jié)的持續(xù)突破。這兩大領(lǐng)域投資合計(jì)占比近五成,清晰地表明中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)正從傳統(tǒng)硅基材料向高端特色材料進(jìn)行戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 。?x3iesmc

放眼全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局,當(dāng)前正處于深刻的周期性調(diào)整與結(jié)構(gòu)性變革之中。AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)為行業(yè)帶來了長期增長潛力,但全球經(jīng)濟(jì)下行壓力與地緣政治沖突,使得行業(yè)投資出現(xiàn)明顯分化。中國作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場,正通過投資結(jié)構(gòu)的戰(zhàn)略性優(yōu)化,在半導(dǎo)體設(shè)備自主化、材料創(chuàng)新等關(guān)鍵領(lǐng)域積極積蓄突破力量,為下一階段的產(chǎn)業(yè)升級(jí)筑牢根基。美國的出口管制政策雖在短期內(nèi)限制了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對先進(jìn)技術(shù)與設(shè)備的獲取,卻意外促使中國在半導(dǎo)體設(shè)備與材料領(lǐng)域的創(chuàng)新活力全面迸發(fā),加速推動(dòng)本土企業(yè)在 28nm 以下制程設(shè)備、第三代半導(dǎo)體材料等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸上取得突破,重塑著全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈生態(tài) 。x3iesmc

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