印度“造芯”再加碼！新增4個半導(dǎo)體制造項目
現(xiàn)在批準的這4項提案分別來自SiCSem、Continental Device India Private Ltd（CDIL）、3D Glass Solutions Inc.，以及Advanced System in Package（ASIP）Technologies。
本次批準的4個半導(dǎo)體制造項目總投資約460億盧比(約合37.71億人民幣)，將創(chuàng)造2,034個技術(shù)崗位，預(yù)計通過催化電子制造業(yè)生態(tài)系統(tǒng)帶動大量間接就業(yè)。至此，印度半導(dǎo)體使命（ISM）框架下獲批項目總數(shù)已達10個，覆蓋六個邦，總投資規(guī)模突破1.6萬億盧比(約合1,311.71億人民幣)。
考慮到電信、汽車、數(shù)據(jù)中心、消費電子及工業(yè)電子領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體日益增長的需求，此次新批準的四個半導(dǎo)體項目將為印度“自力更生的印度”(Atmanirbhar Bharat)做出重要貢獻。
SiCSem和3D Glass將落戶奧里薩邦，CDIL位于旁遮普邦，而ASIP將落戶安得拉邦。
印度SiCSem半導(dǎo)體有限公司（SiCSem Private Limited）正與英國Clas-SiC晶圓廠（Clas-SiC Wafer Fab Ltd.）合作，將在奧里薩邦布巴內(nèi)斯瓦爾市的Info Valley科技園區(qū)建立碳化硅（SiC）基化合物半導(dǎo)體綜合制造基地。該基地將成為印度首個商業(yè)化化合物半導(dǎo)體晶圓廠，專注于碳化硅器件的制造，規(guī)劃年產(chǎn)能達6萬片晶圓及9,600萬顆器件封裝能力。其產(chǎn)品將應(yīng)用于導(dǎo)彈設(shè)備、國防裝備、電動汽車、軌道交通、快充樁、數(shù)據(jù)中心機柜、家用電器及光伏逆變器領(lǐng)域。
3D玻璃解決方案公司（3DGS）將在奧迪沙邦布巴內(nèi)什瓦爾的Info Valley設(shè)立一個垂直整合的先進封裝和嵌入式玻璃基板制造基地。該基地將為印度引入全球最尖端的封裝技術(shù)，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)新一代能效突破。該制造基地將配備多種先進技術(shù)，包括集成無源元件及硅橋的玻璃中介層、3D異構(gòu)集成（3DHI）模塊等核心工藝。其年產(chǎn)能規(guī)劃為：約69,600片玻璃基板、5,000萬件封裝器件及13,200套3DHI模塊。所產(chǎn)器件將重點應(yīng)用于國防裝備、高性能計算、人工智能、射頻與汽車電子、光子集成及共封裝光學(xué)等領(lǐng)域。
先進系統(tǒng)級封裝技術(shù)公司（ASIP）將與韓國APACT株式會社開展技術(shù)合作，在安得拉邦建立半導(dǎo)體制造基地，該工廠規(guī)劃年產(chǎn)能達9,600萬件。其產(chǎn)品將應(yīng)用于手機、機頂盒、汽車應(yīng)用及其他電子產(chǎn)品領(lǐng)域。
Continental Device India Limited（CDIL）將擴建其位于旁遮普邦莫哈利的分立半導(dǎo)體制造基地。該擴建項目將生產(chǎn)硅基及碳化硅基高功率分立器件，包括MOSFET、IGBT、肖特基旁路二極管和晶體管，年產(chǎn)能高達1.58億件。所產(chǎn)器件將應(yīng)用于汽車電子（含電動汽車及充電設(shè)施）、可再生能源系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換裝置、工業(yè)設(shè)備及通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
隨著這些投資項目獲批落地，該國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈將實現(xiàn)顯著升級，其中包含該國首座商業(yè)化化合物半導(dǎo)體晶圓廠及尖端玻璃基板半導(dǎo)體封裝產(chǎn)線。
這些新建項目將有力補充印度不斷提升的世界級芯片設(shè)計能力——當前該國芯片設(shè)計能力依托政府為278所學(xué)術(shù)機構(gòu)與72家初創(chuàng)企業(yè)提供的設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施支持，正處于快速發(fā)展階段。已有超過六萬名學(xué)員從人才發(fā)展計劃中受益。
