在存儲器技術(shù)快速迭代的當下，DDR5被視為下一代主流標準，然而，一場由供需錯配引發(fā)的價格逆襲，卻讓“年邁”的DDR4意外迎來第二春。最新消息顯示，三星電子與SK海力士已悄然調(diào)整產(chǎn)品路線圖，決定延后淘汰DDR4的時間表，將相關產(chǎn)線的生命周期延長至2026年底。fbhesmc

根據(jù)此前披露的產(chǎn)能規(guī)劃，三星電子與SK海力士原計劃于2025年底至2026年初逐步終止DDR4產(chǎn)品供應。其中，三星電子最初規(guī)劃在2025年底前完成1z節(jié)點DDR4 DRAM產(chǎn)線的有序停產(chǎn)工作。但基于最新市場研判，三星已將該節(jié)點產(chǎn)品生產(chǎn)周期延至2026年12月。與此同時，SK海力士亦同步延長DDR4產(chǎn)能供應周期，并向客戶明確表示將通過無錫晶圓制造基地提升DDR4產(chǎn)品產(chǎn)能規(guī)模。fbhesmc

從技術(shù)演進路徑分析，DDR4內(nèi)存技術(shù)自2014年實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)以來，已歷經(jīng)十余年市場周期。在半導體技術(shù)高速迭代的行業(yè)背景下，隨著DDR5技術(shù)實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)并建立市場份額，按照產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律，內(nèi)存制造企業(yè)逐步縮減DDR4產(chǎn)能本是順應技術(shù)升級趨勢的合理選擇。然而，當前市場出現(xiàn)DDR4產(chǎn)品價格持續(xù)攀升，甚至呈現(xiàn)"價格倒掛"現(xiàn)象，即DDR4市場交易價格顯著高于技術(shù)規(guī)格更先進的DDR5產(chǎn)品。fbhesmc

根據(jù)TrendForce 集邦咨詢監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示，自2024年6月起，DDR4 16Gb現(xiàn)貨產(chǎn)品價格已超越DDR5 16Gb現(xiàn)貨價格。截至8月底，兩者價差進一步擴大：6月DDR4 均價為7.01美元，DDR5為5.85美元；至8月，DDR4價格攀升至8.59美元，而DDR5僅為6.17美元。在此價格體系下，三星電子、SK海力士等行業(yè)頭部企業(yè)基于商業(yè)利益考量，決定維持DDR4產(chǎn)線持續(xù)運轉(zhuǎn)，以期獲取更高邊際收益。fbhesmc

深入探究價格倒掛現(xiàn)象的形成機制，供應端結(jié)構(gòu)性短缺為核心驅(qū)動因素。2024年初，三星電子、SK海力士及美光科技三大存儲廠商曾向產(chǎn)業(yè)鏈客戶通報DDR4產(chǎn)能縮減計劃。但隨后HBM（高帶寬內(nèi)存）市場需求爆發(fā)式增長，顯著改變產(chǎn)業(yè)資源配置格局。由于HBM產(chǎn)品單顆晶圓消耗量約為標準DRAM產(chǎn)品的三倍，內(nèi)存制造商在加大 HBM產(chǎn)能投入的同時，不可避免地壓縮了DDR4產(chǎn)品的產(chǎn)能供給。疊加市場恐慌性采購行為，共同推動DDR4產(chǎn)品價格持續(xù)走高。fbhesmc

需求側(cè)分析顯示，工業(yè)控制主板、通信基礎設施等領域，出于系統(tǒng)穩(wěn)定性及兼容性要求，仍對DDR4產(chǎn)品保持剛性需求。此外，全球人工智能數(shù)據(jù)中心建設浪潮的持續(xù)推進，不僅帶動HBM產(chǎn)品需求激增，普通服務器市場對DRAM產(chǎn)品的需求亦同步增長，其中DDR4產(chǎn)品仍占據(jù)一定市場份額。fbhesmc

盡管三星電子與SK海力士延長DDR4產(chǎn)能供應的舉措，短期內(nèi)有助于緩解市場供需矛盾，并對內(nèi)存市場價格體系與競爭格局產(chǎn)生影響，但行業(yè)普遍預期，技術(shù)迭代趨勢不可逆轉(zhuǎn)。隨著時間推移，DDR5技術(shù)將逐步完成對市場的全面滲透，這既是半導體技術(shù)演進的必然結(jié)果，也是內(nèi)存產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新以滿足多樣化市場需求的關鍵路徑。fbhesmc