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IXTY1R4N120P

¥30.10
單 FET、MOSFET
Littelfuse

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252AA
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

Littelfuse 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 IXTY1R4N120P

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