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CSD18535KTT

¥22.75
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6620 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDDPAK/TO-263-3
Package / CaseTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD18535KTT

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