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STB80NF55-06-1

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs189 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4400 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)300W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI2PAK
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STB80NF55-06-1

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