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ADP360120W3

¥21600.00
FET、MOSFET 陣列

AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DRIVE P

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration6 N-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C379A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.45mOhm @ 360A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id4.4V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs944nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28070pF @ 800V
Power - Max704W (Tj)
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package/ CaseModule
Supplier Device PackageACEPACK

新聞資訊

STMicroelectronics FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 ADP360120W3

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