EFC4C002NLTDG
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 15V |
| Power - Max | 2.6W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/ Case | 8-XFBGA, WLCSP |
| Supplier Device Package | 8-WLCSP (6x2.5) |
新聞資訊
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